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大动态范围TMR线性传感器TMR2104(封装形式 DFN8L(3 x3 x 0.75))


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≥1000颗:请联系魏先生18936121160,sales@dowaytech.com


 


产品规格说明书下载>> http://www.dowaytech.com/1800.html




产品型号: TMR2104


兼容型号:


磁阻结构:全桥


供电电压: 0~7 V


灵敏度(mV/V/Oe):3.1


电阻(kΩ):30


饱和场(Oe):±150


敏感方向: X轴


磁滞(Oe):0.5


本底噪声(nT/rT(Hz)@1Hz):~10


封装形式: DFN8L(3 x 3 x 0.75)


交付周期: In stock

大动态范围TMR线性传感器TMR2104(封装形式 DFN8L(3 x3 x 0.75))

详情

产品概述:TMR2104采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2104性能优越,采用SOP8(6mm × 5mm × 1.5mm)、DFN8L(3mm × 3mm × 0.75mm)封装形式。

产品特性:(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)高灵敏度;(3)宽动态范围;(4)低功耗;(5)优越的温度稳定性

典型应用:(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)角度传感器;(4)位置传感器

产品标签

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